半導体露光装置には、3つの技術が必要とされています。
この3つの技術が半導体露光装置の性能を決めるといっても過言ではありません。

第１は、「投影レンズの解像度」です。レンズの解像度が高いほど、細かい回路パターンを転写することができます。ニコンではレンズの原材料の調合から熔解、研磨、コーティング、組み立てまで一貫した生産体制で品質を管理し、レンズ性能を高めています。

第2は、「重ね合わせ精度」です。1個の半導体を作るためには、数十回フォトマスクを交換しながら、繰り返し回路パターンを焼き付けなければなりません。このため、シリコンウェハとフォトマスクの位置ずれがないことが非常に重要となります。ニコンでは複数のセンサーを用いて、フォトマスクとシリコンウェハの位置決めを正確に行っています。

第3に、「スループット」です。これは半導体の量産時に大切です。スループットは、1時間あたり何枚のシリコンウェハを露光できるかという生産性を表しています。ニコンでは1枚のシリコンウェハに数百の半導体を露光するために、シリコンウェハをセットするステージの高速移動・停止を実現し、高スループットを達成しています。

ニコンではこれらの3つの技術を高いレベルで組み合わせ、「史上最も精密な機械」と呼ばれる半導体露光装置を製造しています。

半導体は誕生以来、急速に微細化し、それに伴い、多くの機能を搭載できるようになりました。その進化にあわせ、ニコンでは半導体の微細化に対応した解像度の高い露光技術を開発してきました。しかし、半導体の微細化を推し進めていくと、ある一定以上はどうしても小さくできないという理論的な限界がありました。この限界を打ち破ったのが、ニコンの半導体露光装置で採用された「液浸露光技術」です。

液浸露光技術とは、半導体露光装置のレンズとシリコンウェハとの間を、空気（屈折率1.00）よりも屈折率の高い純水（屈折率1.44）で満たすことで、純水自体をレンズのように使ってより高い解像度を達成するものです。

この技術により、今までの限界を大きく超えた40ナノメートル以下での半導体製造が可能になりました。