ArF液浸スキャナー「NSR-S625E」を発売

ニコンの半導体露光装置史上最高の生産性を実現

2023年5月8日PRESS RELEASE/報道資料

株式会社ニコン（社長：馬立稔和、東京都港区）は、ミドルクリティカルレイヤー向けのArF液浸スキャナー「NSR-S625E」を発売します。スループットおよび装置の稼働安定性を向上させたことで、ニコンの半導体露光装置史上最高の生産性を実現し、様々な半導体デバイスの効率的な生産に貢献します。

発売概要

商品名	ArF液浸スキャナー「NSR-S625E」
発売時期	2024年2月

開発の背景

アプリケーションの多様化に伴い、求められる半導体が多岐に渡る中、半導体の製造に欠かせない露光装置に対するお客様の要望は複雑化・高度化しています。ニコンは、お客様との伴走活動を通じて、これまでも最適なソリューションを提供してきましたが、多様化するお客様のニーズに今まで以上に応じるべく、新しいArF液浸スキャナーを開発し、ラインナップを拡充することとしました。今回開発した「NSR-S625E」は、これまで10年の販売実績を誇る「NSR-S622D」の後継機です。スループットを約1.3倍向上させ、稼働安定性を大幅改善、加えてiAS^※1を搭載することで、様々な半導体の効率的な生産に寄与します。

ニコンは、今後もお客様のニーズに最適な露光装置を提供することで、付加価値の高い半導体製造に貢献していきます。

※1inline Alignment Stationの略。露光装置のスループットを落とすことなく、高速・高精度にウェハを計測し、グリッドエラーの補正を可能にするシステム

主な性能

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解像度	≦38 nm
NA（開口数）	1.35
光源	ArFエキシマレーザー（波長：193 nm）
縮小倍率	1:4
最大露光領域	26 mm x 33 mm
重ね合わせ精度	SMO^※2：≦1.7 nm、MMO^※3：≦2.5 nm
スループット	≧280 wafers/hour (96 shots)

※2SMO(Single Machine Overlay)：同一号機間の重ね合わせ精度（例 S625E #1 to S625E #1）
※3MMO(Mix and Match Overlay)：同一機種間の重ね合わせ精度（例 S625E #1 to S625E #2）